High-Frequency Short-Pulsed Metal Plasma-Immersion Ion Implantation Using Filtered DC Vacuum-Arc Plasma (Part II) (Запись № 232027)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03153nla2a2200481 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231029210118.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\book\253057
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\book\252999
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20130207d2004 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации Россия
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drnn ---uucaa
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие High-Frequency Short-Pulsed Metal Plasma-Immersion Ion Implantation Using Filtered DC Vacuum-Arc Plasma (Part II)
-- Electronic resource
Первые сведения об ответственности A. I. Ryabchikov, I. A. Ryabchikov, I. B. Stepanov
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
225 1# - Серия
Основное заглавие серии Fundamentals of modification processes
230 ## -
-- Electronic text data (1 file : 192 Kb)
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title from the title-page.
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: p. 141 (27 tit.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания An innovative concept in the development of advanced coating deposition and ion implantation method including an application of filtered DC metal plasma source and high-frequency short-pulsed negative bias voltage with a duty factor in the range 10÷99% are considered. The regularities of ion implantation and metal plasma deposition for metal samples are theoretically and experimentally investigated. Experimentally has been shown that metal plasma based ion implantation as well as high-concentration metal plasma ion implantation with compensation of ion surface sputtering by metal plasma deposition as well as ion-assisted coating deposition can be realized by variation of bias potential ranging from 0 V to 4 kV, pulse repetition rate smoothly adjusted in the range (2÷4.4)⋅105 pps and pulse duration ranging from 0.5 to 2 μs. Special features of the material treatment method depending on plasma concentration, pulse repetition rate and duty factor has been examined.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
336 ## - Примечание о виде электронного ресурса
Текст примечания Text files
337 ## - Примечание о системных требованиях (электронные ресурсы)
Текст примечания Adobe Reader
463 #1 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\book\75459
Заглавие 7 International conference on modification of materials with particle beams and plasma flows
Сведения, относящиеся к заглавию Tomsk, Russia, 25-29 July 2004
Первые сведения об ответственности edited by S. Korovin, A. Ryabchikov
Обозначение тома [P. 138-141]
Дата публикации 2004
Сведения об объеме 1 Multimedia CD-ROM
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин физика
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плазма
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин металлы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин осаждение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ионная имплантация
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин металлическая плазма
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ионное распыление
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин импульсы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Ryabchikov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
Дополнения к именам, кроме дат Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
-- physicist
Даты 1950-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Ilyich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30912
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ryabchikov
Часть имени, кроме начального элемента ввода I. A.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Stepanov
Часть имени, кроме начального элемента ввода I. B.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1968-
Расширение инициалов личного имени Igor Borisovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34218
801 #1 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20120118
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161229
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/c/2004/C13/036.pdf
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 232027
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.