Условие получения однородных наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti методом магнетронного распыления из двух источников (Запись № 269042)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 09461nla2a2200637 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231029215004.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\book\292198
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\book\291397
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20140912d2014 k y0rusy50 ca
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. русский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации Россия
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drnn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Условие получения однородных наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti методом магнетронного распыления из двух источников
-- Электронный ресурс
Первые сведения об ответственности В. А. Васильев, А. В. Хошев
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания Текст
Средство доступа электронный
215 ## - Физические характеристики
Сведения об объеме 1 файл (204 Kb)
230 ## -
-- Электронные текстовые данные (1 файл : 204 Kb)
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Заглавие с титульного листа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Электронная версия печатной публикации
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [Библиогр.: с. 177-178 (23 назв.)]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Актуальность работы обусловлена необходимостью формирования наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti с воспроизводимыми параметрами для использования в измерительных приборах, работающих в условиях повышенных температур. Цель работы: обоснование возможности, определение условия и режимов получения наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti с воспроизводимыми параметрами методом магнетронного распыления из двух источников для их применения в измерительных приборах. Методы исследования: использованы основные положения физики тонких плёнок, теории магнетронного распыления, теории эксперимента. Результаты: дана сравнительная оценка метода термического испарения в вакууме и метода магнетронного распыления, показаны преимущества последнего для формирования металлических тонких плёнок сложного состава; представлен анализ состояния исследований в области создания наноразмерных резистивных плёнок для измерительных приборов; показана перспективность исследования плёнок Ni-Ti и процесса их получения с использованием метода магнетронного распыления; сделано обоснование возможности, определены условия и режимы получения наноразмерных резистивных плёнок Ni-Ti с воспроизводимыми параметрами методом магнетронного распыления из двух источников; установлено, что при поддержании определённого соотношения плотностей токов на мишенях из Ni и Ti представляется возможным обеспечивать однородность и воспроизводимость параметров наноразмерных резистивных плёнок (электрического сопротивления, температурного коэффициента сопротивления); определено, что для обеспечения одинаковых скоростей распыления мишеней Ni и Ti плотность магнетронного тока на мишени Ni должна быть в 1,67 раз больше плотности магнетронного тока на мишени Ti.
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Наноразмерные резистивные плёнки Ni-Ti, полученные на подложках из ситалла при указанном соотношении плотностей магнетронных токов на мишенях, имели значение температурного коэффициента сопротивления ~10-5 °C-1 (в диапазоне температур от минуc 70 до 200 °C). Материалы исследований могут служить основой для создания новых резистивных элементов измерительных приборов (датчиков давления, силы, ускорения и т. п.) с улучшенными техническими характеристиками, работающих в условиях повышенных температур
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The relevance of the work is caused by the necessity to form nanoscale resistive Ni-Ti films with reproducible parameters for being used in measuring devices operating at high temperatures. The main aim of the study is to prove the opportunities, to define the conditions and modes of producing nanoscale resistive Ni-Ti films with reproducible parameters by magnetron sputtering from two sources for their use in measuring instruments. The methods used in the study: the main principles of thin films physics, magnetron sputtering theory, the theory of the experiment. The results: The paper introduces the comparative evaluation of vacuum thermal evaporation method and magnetron sputtering method, shows the advantages of the latter in formation of metallic thin films of complex composition; introduces the analysis of the state of research in the field of developing nanoscale resistive films for measuring instruments; demonstrates the potential of researching Ni-Ti film and the process for their preparation using the method of magnetron sputtering. The author have proved the possibility, defined the conditions and procedure of obtaining nanoscale resistive Ni-Ti films with reproducible parameters by magnetron sputtering from two sources. It was ascertained that while maintaining a certain ratio of currents density on Ni and Ti targets it is possible to ensure the uniformity and reproducibility of the parameters of nanoscale resistive films (electrical resistivity, TCR). The authors determined that to provide the same speed of sputtering Ni and Ti targets the magnetron current density on Ni target should be 1,67 times higher than magnetron current density on Ti target.
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Nanoscale resistive Ni-Ti films obtained on glass-ceramic substrates at the specified ratio of magnetron currents densities on the targets had a value of temperature resistance coefficient of ~10-5 °C-1 (in the temperature range from minus 70 to 200 °C). The research materials can serve as the basis for developing new resistive elements of measuring instruments (pressure, force, acceleration sensors, etc.) with improved technical characteristics, operating in conditions of high temperatures.
337 ## - Примечание о системных требованиях (электронные ресурсы)
Текст примечания Adobe Reader
453 ## - Перевод
Заглавие The condition of producing homogeneous nanoscale resistive Ni-Ti films by magnetron sputtering from two sources
Сведения, относящиеся к заглавию translation from Russian
Первые сведения об ответственности V. A. Vasilev, A. V. Khoshev
Место публикации Tomsk
Имя издателя TPU Press
Дата публикации 2014
-- 2014
Автор Vasilev, Valery
453 ## - Перевод
Заглавие Bulletin of the Tomsk Polytechnic University
453 ## - Перевод
Заглавие Vol. 325, № 2 : Mathematics, Physics and Mechanics
461 #1 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\book\176237
Заглавие Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]
Первые сведения об ответственности Томский политехнический университет (ТПУ)
Дата публикации 2000-
463 #1 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\book\291200
Международный стандартный сериальный номер (ISSN) 1684-8519
Заглавие Т. 325, № 2 : Математика, физика и механика
Обозначение тома [С. 173-179]
Дата публикации 2014
Сведения об объеме 166 с.
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин наноразмерные пленки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин резистивные пленки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин никель
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин титан
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин магнетронное распыление
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин воспроизводимость
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин датчики
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронные приборы
610 ## - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин nanoscale film
610 ## - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин resistive film
610 ## - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин Ni-Ti
610 ## - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин magnetron sputtering
610 ## - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин reproducibility
610 ## - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин sensors
610 ## - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин electronic devices
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Васильев
Часть имени, кроме начального элемента ввода В. А.
Расширение инициалов личного имени Валерий Анатольевич
-- z01712
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Хошев
Часть имени, кроме начального элемента ввода А. В.
Расширение инициалов личного имени Александр Вячеславович
-- z02712
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Пензенский государственный университет (ПГУ)
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\14718
-- z01700
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Пензенский государственный университет (ПГУ)
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\14718
-- z02701
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20190517
Правила каталогизации PSBO
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/bitstream/11683/5333/1/bulletin_tpu-2014-325-2-23.pdf
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 269042
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.