Features of silicon-containing coatings deposition from ablation plasma formed by a powerful ion beam (Запись № 639161)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03470nla2a2200445 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040309.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\3565
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\3563
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20150224a2014 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе a z 101zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Features of silicon-containing coatings deposition from ablation plasma formed by a powerful ion beam
Первые сведения об ответственности R. V. Sazonov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 12 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания This paper presents the research of features of silicon-containing coatings deposition from ablation plasma, which is formed by a powerful ion beam at the influence on a microsized pressed powder of SiO[2]. Experimental research have been conducted with a laboratory setup based on a TEMP-4M pulsed ion accelerator in a double-pulse forming mode; the first is negative (300-500 ns, 100-150 kV), and the second is positive (150 ns, 250-300 kV). A beam composition: C+ ions (60-70 %) and protons, the ion current density on the target is 25±5 A/cm{2}. An electron self-magnetically insulated diode has been used to generate the ion beam in the TEMP-4M accelerator. The properties of obtained silicon-containing films have been analyzed with the help of IR spectroscopy. A surface structure has been studied by the method of scanning electron microscopy.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #1 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\3526
Заглавие Journal of Physics: Conference Series
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\3527
Заглавие Vol. 552 : International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Обозначение тома [012025, 7 p.]
Дата публикации 2014
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кремнийсодержащие покрытия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин осаждение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин абляция
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плазма
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ионные пучки
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sazonov
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Senior lecturer
Даты 1984-
Расширение инициалов личного имени Roman Vladimirovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32698
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kholodnaya
Часть имени, кроме начального элемента ввода G. E.
Дополнения к именам, кроме дат electrophysicist
-- Junior researcher of Tomsk Polytechnic University, Senior Lecturer
Даты 1986-
Расширение инициалов личного имени Galina Evgenievna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32699
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ponomarev
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1981-
Расширение инициалов личного имени Denis Vladimirovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32702
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Remnev
Часть имени, кроме начального элемента ввода G. E.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1948-
Расширение инициалов личного имени Gennady Efimovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31500
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Khailov
Часть имени, кроме начального элемента ввода I. P.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Engineer-Researcher of Tomsk Polytechnic University
Даты 1990-
Расширение инициалов личного имени Iliya Pavlovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32882
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт физики высоких технологий (ИФВТ)
-- Лаборатория № 1
-- 6378
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\19035
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161227
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://iopscience.iop.org/1742-6596/552/1/012025
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 639161
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.