Development of New Ion and Plasma Surface Modification Methods (Запись № 640295)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03906nla2a2200433 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040349.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\4841
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\4831
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20150414a2015 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Development of New Ion and Plasma Surface Modification Methods
Первые сведения об ответственности A. I. Ryabchikov, D. O. Sivin, I. B. Stepanov
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
225 1# - Серия
Основное заглавие серии Plasma, Microwave, Ion, Electron and Isotope Technologies
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The review is devoted to the analysis of the present state-of-the-art and development trends of the new methods and equipment being developed in Tomsk Polytechnic University (TPU), for DC vacuum arc-based ion and plasma materials processing. The features and advantages are demonstrated for the method of high-concentration implantation with compensation of surface ion sputtering by metal plasma deposition, the method of metal plasma deposition under repetitively – pulsed ion mixing with ion beams and plasma flow formed in the "Raduga-5" source, and the method of coating deposition and ion implantation, including an application of the filtered DC metal plasma source and high-frequency short-pulsed negative bias voltage with a duty factor in the range 10–99 %.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #1 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\4598
Заглавие Advanced Materials Research : Radiation and nuclear techniques in material science
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 #1 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\4600
Заглавие Vol. 1084 : Physical-Technical Problems of Nuclear Science, Energy Generation, and Power Industry (PTPAI -2014)
Сведения, относящиеся к заглавию The VIth International Conference, June 5-7, 2014, Tomsk, Russia
-- [proceedings]
Первые сведения об ответственности National Research Tomsk Polytechnic University (TPU)
Обозначение тома [P. 221-224]
Дата публикации 2015
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин металлы
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плазма
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин смещения
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин поверхности
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Ryabchikov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
Дополнения к именам, кроме дат Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
-- physicist
Даты 1950-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Ilyich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30912
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sivin
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. O.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1978-
Расширение инициалов личного имени Denis Olegovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34240
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Stepanov
Часть имени, кроме начального элемента ввода I. B.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1968-
Расширение инициалов личного имени Igor Borisovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34218
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Лаборатория № 22
-- 6469
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\19225
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Центр измерений свойств материалов (ЦИСМ)
-- 6684
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\19361
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
-- 138
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18726
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161228
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1084.221
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 640295
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.