Development of New Ion and Plasma Surface Modification Methods / A. I. Ryabchikov, D. O. Sivin, I. B. Stepanov

Уровень набора: (RuTPU)RU\TPU\network\4598, Advanced Materials Research : Radiation and nuclear techniques in material science, Scientific JournalОсновной Автор-лицо: Ryabchikov, A. I., Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences, physicist, 1950-, Aleksandr IlyichАльтернативный автор-лицо: Sivin, D. O., physicist, Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences, 1978-, Denis Olegovich;Stepanov, I. B., physicist, Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences, 1968-, Igor BorisovichКоллективный автор (вторичный): Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Лаборатория № 22;Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Центр измерений свойств материалов (ЦИСМ);Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)Язык: английский.Серия: Plasma, Microwave, Ion, Electron and Isotope TechnologiesРезюме или реферат: The review is devoted to the analysis of the present state-of-the-art and development trends of the new methods and equipment being developed in Tomsk Polytechnic University (TPU), for DC vacuum arc-based ion and plasma materials processing. The features and advantages are demonstrated for the method of high-concentration implantation with compensation of surface ion sputtering by metal plasma deposition, the method of metal plasma deposition under repetitively – pulsed ion mixing with ion beams and plasma flow formed in the "Raduga-5" source, and the method of coating deposition and ion implantation, including an application of the filtered DC metal plasma source and high-frequency short-pulsed negative bias voltage with a duty factor in the range 10–99 %..Аудитория: .Тематика: электронный ресурс | труды учёных ТПУ | металлы | плазма | смещения | поверхности Ресурсы он-лайн:Щелкните здесь для доступа в онлайн
Тэги из этой библиотеки: Нет тэгов из этой библиотеки для этого заглавия. Авторизуйтесь, чтобы добавить теги.
Оценка
    Средний рейтинг: 0.0 (0 голосов)
Нет реальных экземпляров для этой записи

Title screen

The review is devoted to the analysis of the present state-of-the-art and development trends of the new methods and equipment being developed in Tomsk Polytechnic University (TPU), for DC vacuum arc-based ion and plasma materials processing. The features and advantages are demonstrated for the method of high-concentration implantation with compensation of surface ion sputtering by metal plasma deposition, the method of metal plasma deposition under repetitively – pulsed ion mixing with ion beams and plasma flow formed in the "Raduga-5" source, and the method of coating deposition and ion implantation, including an application of the filtered DC metal plasma source and high-frequency short-pulsed negative bias voltage with a duty factor in the range 10–99 %.

Для данного заглавия нет комментариев.

оставить комментарий.