The effect of Si content on structure and mechanical features of silicon-containing calcium phosphorus-based films deposited by rf-magnetron sputtering on titanium substrate treated by pulsed electron beam (Запись № 641721)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 05961nla2a2200601 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040437.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\6638
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\6635
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20150530d2014 k y0rusy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе a z 101zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drgn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие The effect of Si content on structure and mechanical features of silicon-containing calcium phosphorus-based films deposited by rf-magnetron sputtering on titanium substrate treated by pulsed electron beam
Первые сведения об ответственности M. A. Surmeneva [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
225 1# - Серия
Основное заглавие серии Advanced Material & Nanotechnology
225 1# - Серия
Основное заглавие серии Nano-Technology
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 13 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Silicon-containing calcium phosphate (Si-CaP)coatings were fabricated by radio frequency (rf) magnetronsputtering of targets prepared from hydroxyapatite (HA) powderwith different silicon content. A powder of Si-HA(Ca[10](PO[4])[6-x](SiO[4])[x](OH)[2-x], x=0.5 and 1.72) was prepared bymechanochemical activation and then used as a precursorpowderto prepare a target for sputtering. The titanium substratewas acid etched and treated with pulsed electron beam with anenergy density of 15 J/cm{2}. The phase composition and structure,nanohardness and Young’s modulus of Si-CaP coating depositedon titanium substrate were investigated by X-ray diffraction andnanoindentation test, respectively. The average crystallite size asdetermined by XRD was 28 nm for coatings obtained bysputtering of the target prepared from the Si-HA powder (x=0.5),whereas Si-CaP (Si-HA powder x=1.72) films showed anamorphous structure. The nanohardness and the Young’smodulus of the Si-HA coating (x=0.5) deposited on titaniumtreated by pulsed electron beam treatment are enhanced to 4.5and 113 GPa compared to titanium substrate. Increase of Sicontent resulted in a dramatic reduction of the nanohardness andYoung’s modulus of Si-CaP films. However, Si-CaP with thehighest Si content exhibited significantly lower values of elasticmodulus, but slightly higher values of H/E and H[3]/E[2], than didthe non-coated specimens. Therefore, the structure of films has asignificant effect on tribological and mechanical properties of thedeposited coatings. Rf-magnetron sputtering allowed to produceSi-CaP coatings with higher nanohardness and lower elasticmodulus compared to titanium substrate.
337 ## - Примечание о системных требованиях (электронные ресурсы)
Текст примечания Adobe Reader
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\6394
Заглавие The 9th International Forum on Strategic Techology (IFOST-2014), September 21-23, 2014, Cox's Bazar, Bangladesh
Сведения, относящиеся к заглавию [proceedings]
Обозначение тома [3 p.]
Дата публикации 2014
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин распыление
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин фосфат кальция
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин нанотвердость
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кремний
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин пленки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин магнетронное распыление
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ВЧ-распыление
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронные пучки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин подложки
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Surmeneva (Ryabtseva)
Часть имени, кроме начального элемента ввода M. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of material science
-- engineer-researcher of Tomsk Polytechnic University, Associate Scientist
Даты 1984-
Расширение инициалов личного имени Maria Alexandrovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31894
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Surmenev
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. A.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Senior researcher, Candidate of physical and mathematical sciences
Даты 1982-
Расширение инициалов личного имени Roman Anatolievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\31885
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Tyurin
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Mukhametkaliev
Часть имени, кроме начального элемента ввода T. M.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- research engineer at Tomsk Polytechnic University
Даты 1991-
Расширение инициалов личного имени Timur Mukhamedrashidovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34243
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Teresov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. D.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Koval
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. N.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of electronics
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1948-
Расширение инициалов личного имени Nikolay Nikolaevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34748
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Pirozhkova
Часть имени, кроме начального элемента ввода T. S.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Shuvarin
Часть имени, кроме начального элемента ввода I. A.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Chudinova
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. A.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- laboratory assistant of Tomsk Polytechnic University
Даты 1993-
Расширение инициалов личного имени Ekaterina Aleksandrovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34765
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Syrtanov
Часть имени, кроме начального элемента ввода M. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1990-
Расширение инициалов личного имени Maksim Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34764
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
-- Центр технологий (ЦТ)
-- 408
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\20620
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
-- 138
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18726
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Институт физики высоких технологий (ИФВТ)
-- Кафедра сильноточной электроники (СЭ)
-- 2047
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18691
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра общей физики (ОФ)
-- 136
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18734
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20161215
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://180.211.172.109/ifost2014Pro/pdf/S5-P53.pdf
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 641721
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.