Formation of heavily doped semiconductor layers by pulsed ion beam treatmen (Запись № 645131)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 01944nlm1a2200349 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040642.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\10215 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\10212 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20151210a1997 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Formation of heavily doped semiconductor layers by pulsed ion beam treatmen |
| Первые сведения об ответственности | R. M. Bayazitov [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: p. 38 (12 tit.)] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The formation of heavily doped Si and GaAs layers using implantation and powerful pulsed ion beams has been investigated. The influence of the depth distribution of energy released by the ions on the temperature profile and the electrically active impurity distribution in Si and GaAs is analyzed. It is shown that as a consequence of the simultaneous action of impurity diffusion processes normal to the surface and decomposition of GaAs at the surface, the heavily doped (8 × 1019cm−3) layers are formed in the subsurface region (0.1-0.5 μm). |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms |
| Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
| Дата публикации | 1984- |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 122, iss. 1 |
| Обозначение тома | [P. 35-38] |
| Дата публикации | 1997 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Bayazitov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | R. M. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Zakirzyanova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | L. Kh. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Khaibullin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | I. B. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Remnev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Gennady Efimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20151210 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1016/S0168-583X(96)00637-4 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 645131 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.