The Deposition of Silicon-Carbon Coatings in Plasma Based Nonself-Sustained Arc Discharge with Heated Cathode (Запись № 646506)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03174nla2a2200469 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040731.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\11642
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\11640
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20160302a2016 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие The Deposition of Silicon-Carbon Coatings in Plasma Based Nonself-Sustained Arc Discharge with Heated Cathode
Первые сведения об ответственности A. S. Grenadyorov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
225 1# - Серия
Основное заглавие серии Discharge and Plasma-Beam Technology
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Silicon-carbon coatings on silicon substrates were deposited in plasma based nonself-sustained arc discharge with heated cathode by plasma polymerization of silicon organic agent such as polyphenyl methylsiloxane (PPhMS). Silicon-carbon coatings were deposited at PPhMS flow rate of 0.012 ml/min, argon pressure of 0-0.1 Pa, discharge current of 5-8 A, discharge voltage of 130-150 V, and filament current of 68 A. Bipolar pulsed bias voltage was supplied on the substrate during coating deposition. Surface morphology, hardness and elastic modulus of silicon-carbon films were investigated after the deposition. The film surface is very smooth with root-mean-square roughness of 0.579 nm. Maximum hardness of coatings was 11 GPa, and maximum elastic modulus was 142 GPa.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\11477
Заглавие Key Engineering Materials
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\11478
Заглавие Vol. 685 : High Technology: Research and Applications 2015 (HTRA 2015)
Сведения, относящиеся к заглавию The IV International Conference, April 21-24, 2015, Tomsk, Russia
-- [proceedings]
Первые сведения об ответственности National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; ed. N. V. Martyushev, A. M. Bogdan
Обозначение тома [P. 643-647]
Дата публикации 2016
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин алмазоподобный углерод
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин кремний-углерод
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин пленки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин покрытия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плазма крови
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин дуговые разряды
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин катоды
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Grenadyorov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. S.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Oskomov
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. V.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Soloviev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of hydrogen energy
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1977-
Расширение инициалов личного имени Andrey Aleksandrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30863
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Rabotkin
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. V.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kovsharov
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. F.
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Структурное подразделение Физико-технический институт (ФТИ)
-- Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
-- 138
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18726
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20160302
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.685.643
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 646506
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.