Carbon saturation of silicon target under the action of pulsed high-intensity ion beam (Запись № 647029)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02870nla2a2200445 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040748.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\12166 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\12164 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20160323a2016 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drgn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Carbon saturation of silicon target under the action of pulsed high-intensity ion beam |
| Первые сведения об ответственности | N. E. Aktaev, G. E. Remnev |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 9 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The action of the pulsed high-intensity ion (carbon) beam on the silicon target is investigated by means of the theoretical model. The forming of the carbon concentration profile in depth of the silicon sample is modelled. It is argued, that there are two ways of the profile forming: short-pulsed ion (carbon) implantation and diffusion of the carbon atoms adsorbed on the silicon surface. It is shown, that the carbon atoms adsorbed on the silicon surface and diffused into the silicon target play the main role in the concentration profile forming. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 #0 - Уровень набора | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\2008 |
| Заглавие | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering |
| 463 #0 - Уровень физической единицы | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\11965 |
| Заглавие | Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015) |
| Сведения, относящиеся к заглавию | International Scientific Conference, 31 August to 10 September 2015, Tomsk, Russia |
| -- | [proceedings] |
| Обозначение тома | [012054, 9 p.] |
| Дата публикации | 2016 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | насыщение |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | углерод |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | кремниевые мишени |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | импульсные пучки |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ионные пучки |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | кремний |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | поверхности |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Aktaev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | research engineer of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1985- |
| Расширение инициалов личного имени | Nurken Erbolatovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33514 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Remnev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Gennady Efimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Лаборатория № 1 |
| -- | 6378 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19035 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20161121 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012054 |
| 856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18076 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 647029 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.