Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth (Запись № 647772)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 02410nlm1a2200409 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040814.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\12928 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20160422a2014 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | arcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth |
| Первые сведения об ответственности | Sh. Sambonsuge [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 20 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | Results of investigations of the SiC/Si growth from monomethylsilane are reported. Growth conditions favoring the rotated epitaxy of 3C-SiC(111) films on Si(110) are determined experimentally. Surface energies of clean and hydrogen covered 3C-SiC(110) and 3C-SiC(111) surfaces are calculated with the density functional theory approach. It is shown that the change of the 3C-SiC film orientation with decreasing surface temperature and increasing monomethylsilane pressure may be induced by a reduction of the surface energy anisotropy due to the surface passivation by hydrogen. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Russian Physics Journal |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 56, iss. 12 |
| Обозначение тома | [P. 1439-1444] |
| Дата публикации | 2014 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | карбид кремния |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | кремний |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | поверхностная энергия |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Sambonsuge |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Sh. |
| Расширение инициалов личного имени | Shota |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Nikitina |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | L. N. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences |
| Даты | 1978- |
| Расширение инициалов личного имени | Larisa Nikolaevna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36237 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Hervieu |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. Yu. |
| Расширение инициалов личного имени | Yuri Yurievich |
| 701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Suemitsu |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
| Расширение инициалов личного имени | Maki |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Filimonov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. N. |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Nikolaevich |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Физико-технический институт (ФТИ) |
| -- | Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) |
| -- | 7596 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\21255 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20160422 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 647772 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.