Structure and phase composition of a chromium–silicon system modified by high current electron beams (Запись № 649104)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 02866nlm1a2200409 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030040900.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\14265
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\14258
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20160620a2012 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Structure and phase composition of a chromium–silicon system modified by high current electron beams
Первые сведения об ответственности V. V. Uglov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: p. 72 (20 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The results of studies of the structure-phase state of a chromium-coated silicon substrate system’s subsurface layer treated with low-energy high-current electron beams, 50–200 µs in duration and with an energy density of 15 J/cm2, are reported. The data of raster electron microscopy and X-ray structural and spectral microanalysis revealed the formation of a chromium-doped silicon layer with a thickness of 2–38 µm, chromium-enriched silicon dendrites, chromium disilicide CrSi2, and an amorphous eutectic layer (the characteristic cross-section size of the chromium-enriched phase extrusions is ~50 nm). The structure-phase transformations are discussed taking into account the peculiarities of the distribution of temperature, diffusion and convective mass-transfer in the modified layer.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
Дата публикации 2007-
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 6, № 1
Обозначение тома [P. 67-72]
Дата публикации 2012
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин стуктура
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин фазовый состав
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин хром-кремний
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Uglov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. V.
Дополнения к именам, кроме дат Physicist
-- Leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
Даты 1954-
Расширение инициалов личного имени Vladimir Vasilievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\36737
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Kvasov
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. T.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
Даты 1949-
Расширение инициалов личного имени Nikolay Trafimovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\36768
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Petukhov
Часть имени, кроме начального элемента ввода Y. A.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Teresov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. D.
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Koval
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. N.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of electronics
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1948-
Расширение инициалов личного имени Nikolay Nikolaevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34748
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ivanov
Часть имени, кроме начального элемента ввода Yu. F.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
Даты 1955-
Расширение инициалов личного имени Yuriy Fedorovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33559
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210628
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://dx.doi.org/10.1134/S1027451012010193
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 649104
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.