Structure and phase composition of a chromium–silicon system modified by high current electron beams (Запись № 649104)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 02866nlm1a2200409 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030040900.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\14265 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\14258 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20160620a2012 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Structure and phase composition of a chromium–silicon system modified by high current electron beams |
Первые сведения об ответственности | V. V. Uglov [et al.] |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
Текст примечания | [References: p. 72 (20 tit.] |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The results of studies of the structure-phase state of a chromium-coated silicon substrate system’s subsurface layer treated with low-energy high-current electron beams, 50–200 µs in duration and with an energy density of 15 J/cm2, are reported. The data of raster electron microscopy and X-ray structural and spectral microanalysis revealed the formation of a chromium-doped silicon layer with a thickness of 2–38 µm, chromium-enriched silicon dendrites, chromium disilicide CrSi2, and an amorphous eutectic layer (the characteristic cross-section size of the chromium-enriched phase extrusions is ~50 nm). The structure-phase transformations are discussed taking into account the peculiarities of the distribution of temperature, diffusion and convective mass-transfer in the modified layer. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 ## - Уровень набора | |
Заглавие | Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques |
Дата публикации | 2007- |
463 ## - Уровень физической единицы | |
Заглавие | Vol. 6, № 1 |
Обозначение тома | [P. 67-72] |
Дата публикации | 2012 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | стуктура |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | фазовый состав |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | хром-кремний |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Uglov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
Даты | 1954- |
Расширение инициалов личного имени | Vladimir Vasilievich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36737 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Kvasov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. T. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | leading researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
Даты | 1949- |
Расширение инициалов личного имени | Nikolay Trafimovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36768 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Petukhov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Y. A. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Teresov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. D. |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Koval |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | N. N. |
Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electronics |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1948- |
Расширение инициалов личного имени | Nikolay Nikolaevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34748 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Ivanov |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. F. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
Даты | 1955- |
Расширение инициалов личного имени | Yuriy Fedorovich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33559 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20210628 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | http://dx.doi.org/10.1134/S1027451012010193 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 649104 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.