Asymmetric skew X-ray diffraction at fixed incidence angle: application to semiconductor nano-objects (Запись № 651781)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03761nlm1a2200505 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041101.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\17043 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\7827 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20161122a2016 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Asymmetric skew X-ray diffraction at fixed incidence angle: application to semiconductor nano-objects |
| Первые сведения об ответственности | D. Grigoriev [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | A procedure for obtaining three-dimensionally resolved reciprocal-space maps in a skew X-ray diffraction geometry is described. The geometry allows tuning of the information depth in the range from tens of micrometres for symmetric skew diffraction down to tens of nanometres for strongly asymmetric skew geometries, where the angle of incidence is below the critical angle of total external reflection. The diffraction data are processed using a rotation matrix formalism. The whole three-dimensional reciprocal-space map can be measured by performing a single azimuthal rotation of the sample and using a two-dimensional detector, while keeping the angle of incidence and the X-ray information depth fixed (FIXD method). Having a high surface sensitivity under grazing-incidence conditions, the FIXD method can be applied to a large variety of Bragg reflections, particularly polar ones, which provide information on strain and chemical composition separately. In contrast with conventional grazing-incidence diffraction, the FIXD approach reveals, in addition to the lateral (in-plane) components, the vertical (out-of-plane) component of the strain field, and therefore allows the separation of the scattering contributions of strained epitaxial nanostructures by their vertical misfit. The potential of FIXD is demonstrated by resolving the diffraction signal from a single layer of InGaN quantum dots grown on a GaN buffer layer. The FIXD approach is suited to the study of free-standing and covered near-surface nano-objects, as well as vertically extended multilayer structures. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Journal of Applied Crystallography |
| Дата публикации | 2015- |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 49, Pat. 3 |
| Обозначение тома | [P. 961-967] |
| Дата публикации | 2016 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | асимметрия |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | наклоны |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | рентгенофазовый анализ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | рентгеновская дифракция |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | угол падения |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | полупроводниковые наноматериалы |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Grigoriev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Lazarev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | engineer at Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1984- |
| Расширение инициалов личного имени | Sergey Vladimirovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\35210 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Schroth |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Ph. |
| Расширение инициалов личного имени | Philipp |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Minkevich |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kohl |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Slobodskyy |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | T. P. |
| Расширение инициалов личного имени | Tim Peter |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Helfrich |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
| Расширение инициалов личного имени | Mathieu |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Schaadt |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. M. |
| Расширение инициалов личного имени | Daniel |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Aschenbrenner |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | T. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Hommel |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Baumbach |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | T. |
| Расширение инициалов личного имени | Tilo |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт международного образования и языковой коммуникации (ИМОЯК) |
| -- | Кафедра междисциплинарная (МД) |
| -- | 3526 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19012 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20161207 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1107/S1600576716006385 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 651781 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.