Influence of deposition conditions on mechanical properties of a-C:H:SiOx films prepared by plasma-assisted chemical vapor deposition method (Запись № 658549)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03735nlm1a2200433 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041556.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\26455
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20181022a2018 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Influence of deposition conditions on mechanical properties of a-C:H:SiOx films prepared by plasma-assisted chemical vapor deposition method
Первые сведения об ответственности A. S. Grenaderov [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 37 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания A series of a-C:H:SiOx films was deposited on polished silicon and glass substrates by plasma-assisted chemical vapor deposition combined with pulsed bipolar substrate bias from mixtures of argon and polyphenylmethylsiloxane vapors. Different Ar pressures and substrate bias voltages were applied for the synthesis of a-C:H:SiOx films having different mechanical properties. Detailed characterization of the mechanical properties of a-C:H:SiOx films was made using the nanoindentation. Hardness and elastic modulus were used for the evaluation of the endurance capability (H/E) and resistance to plastic deformation (H3/E2). The structural properties of the deposited films were analyzed by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and Raman spectroscopy. It was shown that the Ar pressure and substrate bias variation can change the film properties and the growth rate and these changes are not linear. So, depending upon application, deposition conditions are to be optimized. In all of the examined coatings, increase of Ar pressure and amplitude of negative pulse of substrate bias lead to improvement in mechanical properties. According to the results of FTIR and Raman spectroscopy; this improvement is due to an increase in the sp3 bonded carbon content and decrease of hydrogen content in the films.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Surface and Coatings Technology
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 349
Обозначение тома [P. 547-555]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин a-C:H:SiOx films
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин Plasma CVD
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин спектроскопия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин смещение
-- FTIR spectroscopy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин смещение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин Substrate bias
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Grenaderov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. S.
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Sergeevich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Soloviev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. A.
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of hydrogen energy
-- Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1977-
Расширение инициалов личного имени Andrey Aleksandrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30863
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Oskomov
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. V.
Расширение инициалов личного имени Konstantin Vladimirovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sypchenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, assistant
Даты 1987-
Расширение инициалов личного имени Vladimir Sergeevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\33791
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга
-- 7866
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23561
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Отделение экспериментальной физики
-- 7865
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23549
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20181022
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.06.019
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 658549
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.