Deposition of Cr films by hot target magnetron sputtering on biased substrates (Запись № 658948)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 04151nlm1a2200505 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041612.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\27208 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20181218a2018 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Deposition of Cr films by hot target magnetron sputtering on biased substrates |
| Первые сведения об ответственности | D. V. Sidelev [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 49 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The Cr films were deposited by hot target magnetron sputtering on grounded and biased substrates. The deposition modes with low and high deposition rates (different by 4 times) were selected. The sublimation of hot Cr target decreased the re-sputtering effect of the growing films under ion bombardment and reduced the losses of deposition rate from 28.7 to 13.4% (for −40 V bias and 1.9 kW discharge power). The calculations of energy flux densityon the substrate revealed that the major contribution has a target radiation (56.2…85.5%) and kinetic energy of deposited particles and ions (4.8…34.3%) become a significant only with substrate biasing. The XRD measurements showed cubic structured (110) Cr films with compressive stresses (0.48…0.90 GPa), which is non-dependent from bias voltage for high-rate deposition modes. The Cr films mainly had a columnar structure and columnar width increased from 50 to 450 nm with rise of discharge power (W). The substrate biasing and high deposition rate resulted in the formation of irregular microstructure of the Cr films along their thickness from porous to columnar state. The indentation tests showed the strong dependence of film hardness and toughness (H/E) from W and different behavior of the mechanical properties of the Cr films for the deposition on biased substrates with low and high deposition rates. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Surface and Coatings Technology |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 350 |
| Обозначение тома | [P. 560-568] |
| Дата публикации | 2018 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | hot target sputtering |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | Cr film |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | substrate bias |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | structure |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | mechanical properties |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | распыление |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | смещения |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | субстраты |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | механические характеристики |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Sidelev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1991- |
| Расширение инициалов личного имени | Dmitry Vladimirovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34524 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Bestetti |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Researcher of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1965- |
| Расширение инициалов личного имени | Massimiliano |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\37134 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Bleykher (Bleicher) |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. A. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of Physical and Mathematical Sciences |
| Даты | 1961- |
| Расширение инициалов личного имени | Galina Alekseevna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31496 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Krivobokov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. P. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Russian physicist |
| -- | professor of Tomsk Polytechnic University (TPU), Doctor of Physical and Mathematical Sciences (DSc) |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Valery Pavlovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30416 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Grudinin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. A. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | engineer of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1995- |
| Расширение инициалов личного имени | Vladislav Alekseevich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\42519 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Franz |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. |
| Расширение инициалов личного имени | Silvia |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Vicenzo |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. |
| Расширение инициалов личного имени | Antonello |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Shanenkova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Yu. L. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electric power engineering |
| -- | laboratory assistant of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1991- |
| Расширение инициалов личного имени | Yuliya Leonidovna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34119 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
| -- | Научно-образовательный центр Б. П. Вейнберга |
| -- | 7866 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23561 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20181218 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.07.047 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 658948 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.