Changing the Shape of Watt-Ampere Characteristic of LEDs Based upon GaP ([lambda]=590 nm) Irradiated by Gamma-Quanta (Запись № 660922)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 04482nla2a2200457 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041727.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\31060 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | RU\TPU\network\31059 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20191107a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drgn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Changing the Shape of Watt-Ampere Characteristic of LEDs Based upon GaP ([lambda]=590 nm) Irradiated by Gamma-Quanta |
Первые сведения об ответственности | A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. V. Simonova |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | There are two distinctive regions can be identified (low (LC) and high currents (HC)) of a watt-ampere (W-I) characteristic of initial LEDs based upon GaP with 590 nm wavelength. The established patterns differ in the exponent. At the same time, the LC region corresponds to an increase in the efficiency of conversion of operating current into light radiation, and the HC region is a slow decline with an increase in the operating current. As a result of irradiation with gamma-quanta in the passive power mode, the change in the shape of W-I characteristic is established, which can be characterized by an increase in the threshold current separating the LC and HC regions with an increase in the irradiation dose. The change in the emissive power of the LEDs and the shift of the threshold current occurs in two stages: in the first stage, the emissive power decreases due to radiation-stimulated rearrangement of the initial defect structure. At the same time, with an increase in the radiation dose, a partial recovery of the emissive power is observed against the background of its overall decrease. At the end of the first stage, the dependence of the damage coefficient on the operating current density in measurements of the W-I characteristics is manifested explicitly. The second stage of reducing the emissive power due to the introduction of radiation defects. In this case, the damage coefficient does not depend on the working current density, and the observed differences are due to the fact that by the end of the first stage its contribution to the overall reduction in emissive power is inversely proportional to the working current density. The established patterns can be used at the stage of designing the LEDs to substantiate the choice of the optimal value of the operating current density and to predict the resistance to irradiation with gamma rays. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 #0 - Уровень набора | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\24092 |
Заглавие | Materials Science Forum |
Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
463 #0 - Уровень физической единицы | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\30892 |
Заглавие | Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II |
Сведения, относящиеся к заглавию | September 2019, Tomsk, Russia |
Первые сведения об ответственности | National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; ed. A. P. Surzhikov |
Обозначение тома | [P. 88-99] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | Emissive Power |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | Gamma-Quanta |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | GaP |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | Light-Emitting Diodes |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | светодиоды |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | гамма-кванты |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | дозы облучения |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | радиационные дефекты |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gradoboev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1952- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Vasilyevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34242 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Orlova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. N. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Associate Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences |
Даты | 1985- |
Расширение инициалов личного имени | Kseniya Nikolaevna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33587 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Simonova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Assistant of the Department of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1990- |
Расширение инициалов личного имени | Anastasia Vladimirovna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\42263 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности |
-- | Отделение контроля и диагностики |
-- | 7978 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23584 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20191107 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.970.88 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 660922 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.