Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures (Запись № 661211)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 02992nla2a2200409 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041738.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\31475
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20191125a2019 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе y z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drgn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
Первые сведения об ответственности A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. V. Simonova
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания The most common technological solution for increasing the light efficiency of the LEDs based upon AlGaInP heterostructures are discussed in the paper. The creation of LEDs with the inclusion of quantum wells and quantum dots in the active region, removing the original base and placing the LED on a new substrate, the replacement of the absorbent substrate by the reflective, using light-reflective surfaces such as Bragg reflectors or a mirror base (substrate), the list of new based materials for the LEDs based upon AlGaInP heterostructures as same as sapphire, glass, gallium phosphide, silicon and silicon carbide are presented. Therefore, new advanced methods of emission power are emerging.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 #0 - Уровень набора
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\24092
Заглавие Materials Science Forum
Сведения, относящиеся к заглавию Scientific Journal
463 #0 - Уровень физической единицы
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\28876
Заглавие Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
Сведения, относящиеся к заглавию January 2019, Tomsk, Russia
Первые сведения об ответственности National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; ed. A. P. Surzhikov
Обозначение тома [P. 77-86]
Дата публикации 2019
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин AlGaInP
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин heterostructures
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин light emitting diodes
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин гетероструктуры
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин светодиоды
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность
Начальный элемент ввода Gradoboev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences
Даты 1952-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Vasilyevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34242
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Orlova
Часть имени, кроме начального элемента ввода K. N.
Расширение инициалов личного имени Kseniya Nikolaevna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Simonova
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат Physicist
-- Assistant of the Department of Tomsk Polytechnic University
Даты 1990-
Расширение инициалов личного имени Anastasia Vladimirovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\42263
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности
-- Отделение контроля и диагностики
-- 7978
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23584
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20191125
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.942.77
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 661211
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.