Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures (Запись № 661211)
[ простой вид ]
000 -Маркер | |
---|---|
Поле контроля фиксированной длины | 02992nla2a2200409 4500 |
005 - Идентификатор версии | |
Поле контроля фиксированной длины | 20231030041738.0 |
035 ## - Другие системные номера | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\31475 |
100 ## - Данные общей обработки | |
Данные общей обработки | 20191125a2019 k y0engy50 ba |
101 0# - Язык ресурса | |
Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
102 ## - Страна публикации или производства | |
Страна публикации | |
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические | |
Кодированные данные о монографическом текстовом документе | y z 100zy |
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
Кодированные данные для электронного ресурса | drgn ---uucaa |
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
Код вида содержания | i |
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
Код средства доступа | electronic |
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
Основное заглавие | Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures |
Первые сведения об ответственности | A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. V. Simonova |
203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
Вид содержания | |
Средство доступа | |
300 ## - Общие примечания | |
Текст примечания | Title screen |
330 ## - Резюме или реферат | |
Текст примечания | The most common technological solution for increasing the light efficiency of the LEDs based upon AlGaInP heterostructures are discussed in the paper. The creation of LEDs with the inclusion of quantum wells and quantum dots in the active region, removing the original base and placing the LED on a new substrate, the replacement of the absorbent substrate by the reflective, using light-reflective surfaces such as Bragg reflectors or a mirror base (substrate), the list of new based materials for the LEDs based upon AlGaInP heterostructures as same as sapphire, glass, gallium phosphide, silicon and silicon carbide are presented. Therefore, new advanced methods of emission power are emerging. |
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
Текст примечания | |
461 #0 - Уровень набора | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\24092 |
Заглавие | Materials Science Forum |
Сведения, относящиеся к заглавию | Scientific Journal |
463 #0 - Уровень физической единицы | |
Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\28876 |
Заглавие | Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance |
Сведения, относящиеся к заглавию | January 2019, Tomsk, Russia |
Первые сведения об ответственности | National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; ed. A. P. Surzhikov |
Обозначение тома | [P. 77-86] |
Дата публикации | 2019 |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | электронный ресурс |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | труды учёных ТПУ |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | AlGaInP |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | heterostructures |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | light emitting diodes |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | гетероструктуры |
610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
Предметный термин | светодиоды |
700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Gradoboev |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
-- | Professor of Yurga technological Institute of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
Даты | 1952- |
Расширение инициалов личного имени | Aleksandr Vasilyevich |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\34242 |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Orlova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | K. N. |
Расширение инициалов личного имени | Kseniya Nikolaevna |
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Simonova |
Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
Дополнения к именам, кроме дат | Physicist |
-- | Assistant of the Department of Tomsk Polytechnic University |
Даты | 1990- |
Расширение инициалов личного имени | Anastasia Vladimirovna |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\42263 |
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
Структурное подразделение | Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности |
-- | Отделение контроля и диагностики |
-- | 7978 |
-- | stltpush |
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23584 |
801 #2 - Источник записи | |
Страна | RU |
Организация | 63413507 |
Дата составления | 20191125 |
Правила каталогизации | RCR |
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.942.77 |
090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
Koha biblioitem number (autogenerated) | 661211 |
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.