Formation and structural features of nitrogen-doped titanium dioxide thin films grown by reactive magnetron sputtering (Запись № 663060)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03476nlm1a2200493 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030041841.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\34229 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20210122a2020 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Formation and structural features of nitrogen-doped titanium dioxide thin films grown by reactive magnetron sputtering |
| Первые сведения об ответственности | A. A. Pustovalova, E. L. Boytsova, D. Aubakirova [et al.] |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 61 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The structural features of N-doped titanium dioxide (N-TiO2) thin films deposited via reactive magnetron sputtering system with different nitrogen to oxygen ratio are analyzed. Bias voltage was used as a significant parameter involved in the deposition process. Grown films have two-phase structure consisting of anatase and rutile mixture. The analysis of structure and morphology of the films by SEM, TEM, XRD, FTIR and XPS techniques showed the changing of anatase to rutile ratio and grain size reduction in N-TiO2 thin films with increase of nitrogen content in the working gas at simultaneous bias applying. Nitrogen atoms in oxide form are located at the crystallites boundaries and this 2D quasi-layer of NOx species limits the epitaxial growth of TiO2 crystallites during film formation. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Applied Surface Science |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 534 |
| Обозначение тома | [147572, 10 p.] |
| Дата публикации | 2020 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | titanium dioxide |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | N-doped TiO2 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | nitrogen oxides |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | bias voltage |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | magnetron sputtering |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | оксид титана |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | оксид азота |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | магнетронное распыление |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Pustovalova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. A. |
| Расширение инициалов личного имени | Alla Aleksandrovna |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Boytsova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | E. L. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | assistant Professor of Tomsk Polytechnic University |
| Даты | 1975- |
| Расширение инициалов личного имени | Elena Lvovna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36962 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Aubakirova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | D. |
| Расширение инициалов личного имени | Danagul |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Bruns |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | M. P. |
| Расширение инициалов личного имени | Michael |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Tverdokhlebov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | S. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical science |
| Даты | 1961- |
| Расширение инициалов личного имени | Sergei Ivanovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30855 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Pichugin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. F. |
| Дополнения к именам, кроме дат | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| -- | Physicist |
| Даты | 1944- |
| Расширение инициалов личного имени | Vladimir Fyodorovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\30933 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов |
| Идентифицирующий признак | (2017- ) |
| -- | 8118 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23551 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа ядерных технологий |
| -- | Отделение ядерно-топливного цикла |
| -- | 7864 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23554 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20210122 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147572 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 663060 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.