Low-temperature peculiarities of density of electronic states and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene (Запись № 664545)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 02848nlm1a2200517 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041933.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\35729
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\31195
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20210420a2018 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Low-temperature peculiarities of density of electronic states and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene
Первые сведения об ответственности N. G. Bobenko, V. E. Egorushkin, N. V. Melnikova [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 38 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания We propose an approach that allows us to take into account the location of atomic defects in the graphene structure and describe the effect of electron scattering on certain configurations of foreign atoms in a graphene matrix on density of electronic states (DOS) and the electron transport characteristics in 2D graphene. The local disorder is shown to play a decisive role in formation of the low-temperature behavior of the DOS and electron transport characteristics in the disordered 2D graphene.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 26, iss. 3
Обозначение тома [P. 152-157]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин graphene
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин density of statess
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин hort-range order
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин transport properties
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин structural defects
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин графены
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин плотность состояний
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин транспортные свойства
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин структурные дефекты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронные состояния
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Bobenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. G.
Дополнения к именам, кроме дат Physicist
-- Researcher of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
Даты 1986-
Расширение инициалов личного имени Nadezhda Georgievna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\37783
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Egorushkin
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. E.
Расширение инициалов личного имени Valery Efimovich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Melnikova
Часть имени, кроме начального элемента ввода N. V.
Расширение инициалов личного имени Nataliya Vasiljevna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Belosludtseva
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. A.
Расширение инициалов личного имени Anna Alekseevna
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Barkalov
Часть имени, кроме начального элемента ввода L. D.
Расширение инициалов личного имени Leonid Dmitrievich
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ponomarev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. N.
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Nikolaevich
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Физико-технический институт
-- Кафедра высшей математики и математической физики
-- 139
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\18727
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210420
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1080/1536383X.2017.1420647
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 664545
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.