Twisted graphene in graphite: Impact on surface potential and chemical stability (Запись № 665209)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 04408nlm0a2200625 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041955.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\36408
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\36323
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20210902a2021 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
105 ## - Поле кодированных данных: текстовые ресурсы, монографические
Кодированные данные о монографическом текстовом документе a z 100zy
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 0# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Twisted graphene in graphite: Impact on surface potential and chemical stability
Первые сведения об ответственности Tran Tuan Hoang, R. D. Rodriguez (Rodriges) Contreras, M. Salerno [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 68 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания Highly-oriented pyrolytic graphite (HOPG), i.e., the 3D stack of sp2-hybridized carbon sheets, is an attractive material thanks to its high electrical conductivity, chemical inertness, thermal stability, atomic-scale flatness, and ease of exfoliation. Despite an apparently ideal and uniform material, freshly cleaved HOPG shows domains in Kelvin probe force microscopy (KPFM) with surface potential contrast over 30 mV. We systematically investigated these domains using an integrated approach, including time-dependent KPFM and hyperspectral Raman imaging. The observed time-evolving domains are attributed to locally different hydrocarbon adsorption from the environment, driven by structural defects likely related to rotational mismatch, i.e., twisted layers. These defects affect the interlayer coupling between topmost graphene and the underlying layers. Our hypothesis was supported by Raman spectroscopy results, showing domains with G peak shifts and 2D line shape compatible with bilayer graphene. We attribute the selective sensitivity of our Raman spectroscopy results to the top graphene layers as resonances due to van Hove singularities. Our results show that the chemical and electrical properties of HOPG are far more complex than what is generally believed due to the broken symmetry at the top surface, giving rise to graphene bilayer-like behavior.
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Carbon
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 176
Обозначение тома [P. 431-439]
Дата публикации 2021
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин graphene
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин graphite
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин moiré pattern
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин twisted bi-layers
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин Kelvin probe force microscopy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин HOPG
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин surface contamination
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин Raman spectroscopy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин contact potential difference
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин силовая микроскопия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин графены
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин поверхностный потенциал
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин загрязнения
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин поверхности
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин спектроскопия
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин графиты
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин химическая стабильность
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин поверхностный потенциал
701 #0 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Tran Tuan Hoang
Дополнения к именам, кроме дат specialist in the field of nuclear technologies
-- engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1993-
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\47572
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Rodriguez (Rodriges) Contreras
Часть имени, кроме начального элемента ввода R. D.
Дополнения к именам, кроме дат Venezuelan physicist, doctor of science
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1982-
Расширение инициалов личного имени Raul David
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\39942
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Salerno
Часть имени, кроме начального элемента ввода M.
Расширение инициалов личного имени Marco
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Matkovic
Часть имени, кроме начального элемента ввода A.
Расширение инициалов личного имени Aleksandar
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Teichert
Часть имени, кроме начального элемента ввода Ch.
Расширение инициалов личного имени Christian
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sheremet
Часть имени, кроме начального элемента ввода E. S.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Professor of Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Evgeniya Sergeevna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\40027
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8120
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23537
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20230517
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1016/j.carbon.2021.01.152
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 665209
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.