Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire (Запись № 669430)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 03074nlm1a2200409 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030042222.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\40670 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\40570 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20230505a2023 k y0engy50 ba |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire |
| Первые сведения об ответственности | Li Zixuan, L. V. Vorobyova, V. I. Oleshko |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [References: 9 tit.] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The paper presents the results of spectral and kinetic characteristics of pulse cathode- and photoluminescence of AlGaN/GaN and InGaN/GaN LED heterostructures grown on sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy. The effect of high current electron beam energy density on the spectral and amplitude characteristics of luminescence spectra of heterostructures is studied. The spatial distribution of fluorescence characteristics on the wafer surface was studied. It is found that in some InGaN/GaN heterostructures, a shift of the maximum of stimulated cathodoluminescence spectra, measured at different points of the sample, is observed. This result is explained by variations in the composition and thickness of the quantum dimensional active region caused by nonideality of the wafer growth process. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Russian Physics Journal |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Vol. 65, iss. 11 |
| Обозначение тома | [P. 1875-1880] |
| Дата публикации | 2023 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | LED |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | heterostructure |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | superlattice |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | cathode- and photoluminescence |
| 700 #0 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Li Zixuan |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Vorobyova |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | L. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | linguist |
| -- | associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of philological Sciences |
| Даты | 1979- |
| Расширение инициалов личного имени | Lyudmila Vladimirovna |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\36255 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Oleshko |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | V. I. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of lightning engineering |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Vladimir Ivanovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\33783 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Школа базовой инженерной подготовки |
| -- | Отделение русского языка |
| -- | 8030 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23517 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет |
| Структурное подразделение | Инженерная школа новых производственных технологий |
| -- | Отделение материаловедения |
| -- | 7871 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\23508 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20230505 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 40 - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | https://doi.org/10.1007/s11182-023-02845-z |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 669430 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.