Найдено 3 результатов.

Результаты
	1.	Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т = Modeling of irradiation process and cooling silicon during of neutrontransmutation doping on the reactor IRT-T / Н. В. Смольников [и др.]Уровень набора: (RuTPU)RU\TPU\conf\29207, Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине, сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск, в 2 ч. / Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) ; под ред. О. Г. Берестневой [и др.] = 2018Доступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	2.	Feasibility Study of Creating Additional Experimental Channels for Silicon Doping in Irt-T Reactor / A. G. Naymushin [et al.]Уровень набора: Journal of Industrial Pollution ControlДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)
	3.	Conceptual Design of Experimental Facility for Large-Diameter NTD-Si at the IRT-T Reactor / I. I. Lebedev, D. E. Zolotykh, A. G. Naymushin [et al.]Уровень набора: Atom IndonesiaДоступность: : Добавить в подборку Добавить в корзину (удалить)