High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon (Запись № 637365)
[ простой вид ]
| 000 -Маркер | |
|---|---|
| Поле контроля фиксированной длины | 04345nlm1a2200457 4500 |
| 005 - Идентификатор версии | |
| Поле контроля фиксированной длины | 20231030040207.0 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | (RuTPU)RU\TPU\network\1482 |
| 035 ## - Другие системные номера | |
| Идентификатор записи | RU\TPU\network\1481 |
| 100 ## - Данные общей обработки | |
| Данные общей обработки | 20140902a2012 k y0rusy50 ca |
| 101 0# - Язык ресурса | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | английский |
| 102 ## - Страна публикации или производства | |
| Страна публикации | Россия |
| 135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы | |
| Кодированные данные для электронного ресурса | drcn ---uucaa |
| 181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания | |
| Код вида содержания | i |
| 182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа | |
| Код средства доступа | electronic |
| 200 1# - Заглавие и сведения об ответственности | |
| Основное заглавие | High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon |
| Первые сведения об ответственности | A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev |
| 203 ## - Вид содержания и средство доступа | |
| Вид содержания | |
| Средство доступа | |
| 300 ## - Общие примечания | |
| Текст примечания | Title screen |
| 320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя | |
| Текст примечания | [Ref.: p. 61 (24 tit.)] |
| 330 ## - Резюме или реферат | |
| Текст примечания | The electrical and photoelectrical properties of the polycrystalline silicon after high intensive short pulsed implantation of carbon ions were investigated. A vacuum annealing effect under the pressure of 10 -2 Pa and temperature of 3001200 K on the characteristics of the surface dark conduction and photoconduction was determined. We determined the optimal conditions of thermal treatment during which we achieved changes in the properties more stable to thermal and field excitation. The implantation affects the silicon properties owing to accumulation of the radiation damage and the formation of the inclusions of new nanosized phases. The influence of the induced structural-phases inhomogeneities on the properties is determined by the dose of the incorporated ions and annealing conditions. The type of the conduction changes depending on concentration of the defects. The change in properties after annealing obeys to the regularities which are proper for the ion-heat modification of materials. After annealing in the temperature interval of 300-700 K the alternations in the characteristics are stipulated by dissociation of the donor defect complexes. The nanocrystals sintered at 700-1000 K and their size growth stably affect the characteristics. |
| 333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования | |
| Текст примечания | |
| 461 ## - Уровень набора | |
| Заглавие | Известия вузов. Физика |
| Сведения, относящиеся к заглавию | научный журнал |
| Дата публикации | 1957- |
| 463 ## - Уровень физической единицы | |
| Заглавие | Т. 55, № 12-3 |
| Обозначение тома | [С. 58-61] |
| Дата публикации | 2012 |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | электронный ресурс |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | труды учёных ТПУ |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | поликристаллический кремний |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | ионы |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | имплантация |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | светочувствительность |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | радиационные дефекты |
| 610 1# - Неконтролируемые предметные термины | |
| Предметный термин | вакуумный отжиг |
| 700 #1 - Имя лица – первичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Kabyshev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | A. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | specialist in the field of electric power engineering |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1958- |
| Расширение инициалов личного имени | Alexander Vasilievich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32572 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Konusov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | F. V. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Senior Researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences |
| Даты | 1958- |
| Расширение инициалов личного имени | Fedor Valerievich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\32570 |
| 701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Remnev |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | G. E. |
| Дополнения к именам, кроме дат | physicist |
| -- | Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |
| Даты | 1948- |
| Расширение инициалов личного имени | Gennady Efimovich |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Энергетический институт (ЭНИН) |
| -- | Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП) |
| -- | 186 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18676 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |
| -- | Лаборатория № 1 |
| -- | 6378 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\19035 |
| 712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность | |
| Начальный элемент ввода | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |
| Структурное подразделение | Физико-технический институт (ФТИ) |
| -- | Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ) |
| -- | 2048 |
| -- | stltpush |
| Идентификатор авторитетной/ нормативной записи | (RuTPU)RU\TPU\col\18735 |
| 801 #2 - Источник записи | |
| Страна | RU |
| Организация | 63413507 |
| Дата составления | 20150624 |
| Правила каталогизации | RCR |
| 856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним | |
| Универсальный идентификатор ресурса | http://elibrary.ru/item.asp?id=19015552 |
| 090 ## - System Control Numbers (Koha) | |
| Koha biblioitem number (autogenerated) | 637365 |
| 942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха) | |
| Тип документа | Computer Files |
Нет доступных единиц.