Low energy, high intensity metal ion implantation method for deep dopant containing layer formation (Запись № 664533)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03349nlm1a2200505 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030041933.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\35717
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\27797
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20210419a2018 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Low energy, high intensity metal ion implantation method for deep dopant containing layer formation
Первые сведения об ответственности A. I. Ryabchikov, A. E. Shevelev, D. O. Sivin [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 20 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания This study describes the first results of high intensity macroparticle-free aluminum ion beam formation and its application to low ion energy implantation. A DC vacuum arc was used to produce aluminum plasma flow. A repetitively pulsed macroparticle-free high intensity aluminum ion beam was formed using a plasma immersion ion extraction combined with ion beam focusing. A very high current ion beam with the current up to 0.475 A at bias pulse duration of 4 [mu]s and the pulse repetition rate of 105 pulses per second was obtained. Nickel substrates were irradiated by aluminum ions with very high current densities up to 100 mA/cm2 and accelerating voltages up to 2.1 kV. The maximum fluence of implantation reached 1.2•1021 ion/сm2. The results of the element composition of the modified layer were also investigated
333 ## - Примечания об особенностях распространения и использования
Текст примечания
461 ## - Уровень набора
Заглавие Surface and Coatings Technology
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 355
Обозначение тома [P. 123-128]
Дата публикации 2018
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин high intensity ion beam
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин metal ion implantation
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин intermetallic layers
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин aluminum
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин nickel
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ионные пучки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин имплантация
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин ионы металлов
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин алюминий
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин никель
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин слои
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ryabchikov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
Дополнения к именам, кроме дат Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences
-- physicist
Даты 1950-
Расширение инициалов личного имени Aleksandr Ilyich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\30912
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Shevelev
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. E.
Дополнения к именам, кроме дат Physicist
-- Engineer of Tomsk Polytechnic University
Даты 1990-
Расширение инициалов личного имени Aleksey Eduardovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\36832
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sivin
Часть имени, кроме начального элемента ввода D. O.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences
Даты 1978-
Расширение инициалов личного имени Denis Olegovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\34240
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ivanova
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. I.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University
Даты 1987-
Расширение инициалов личного имени Anna Ivanovna
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\36986
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Medvedev
Часть имени, кроме начального элемента ввода V. N.
Расширение инициалов личного имени Vladislav Nikolaevich
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Инженерная школа ядерных технологий
-- Научная лаборатория высокоинтенсивной имплантации ионов
-- 7868
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23698
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20210419
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.02.111
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 664533
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.