Combined HF+MW CVD Approach for the Growth of Polycrystalline Diamond Films with Reduced Bow (Запись № 669256)

Подробно MARC
000 -Маркер
Поле контроля фиксированной длины 03200nlm1a2200613 4500
005 - Идентификатор версии
Поле контроля фиксированной длины 20231030042216.0
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи (RuTPU)RU\TPU\network\40496
035 ## - Другие системные номера
Идентификатор записи RU\TPU\network\40492
100 ## - Данные общей обработки
Данные общей обработки 20230310a2023 k y0engy50 ba
101 0# - Язык ресурса
Язык текста, звукозаписи и т.д. английский
102 ## - Страна публикации или производства
Страна публикации
135 ## - Поле кодированных данных: электронные ресурсы
Кодированные данные для электронного ресурса drcn ---uucaa
181 #0 - Поле кодированных данных: вид содержания
Код вида содержания i
182 #0 - Поле кодированных данных: средство доступа
Код средства доступа electronic
200 1# - Заглавие и сведения об ответственности
Основное заглавие Combined HF+MW CVD Approach for the Growth of Polycrystalline Diamond Films with Reduced Bow
Первые сведения об ответственности V. Sedov, A. Popovich, S. A. Linnik [et al.]
203 ## - Вид содержания и средство доступа
Вид содержания
Средство доступа
300 ## - Общие примечания
Текст примечания Title screen
320 ## - Примечания о наличии в ресурсе библиографии/указателя
Текст примечания [References: 56 tit.]
330 ## - Резюме или реферат
Текст примечания A combination of two methods of chemical vapor deposition (CVD) of diamond films, microwave plasma–assisted (MW CVD) and hot filament (HF CVD), was used for the growth of 100 µm-thick polycrystalline diamond (PCD) layers on Si substrates. The bow of HF CVD and MW CVD films showed opposite convex\concave trends; thus, the combined material allowed reducing the overall bow by a factor of 2–3. Using MW CVD for the growth of the initial 25 µm-thick PCD layer allowed achieving much higher thermal conductivity of the combined 110 µm-thick film at 210 W/m?K in comparison to 130 W/m?K for the 93 µm-thick pure HF CVD film.
461 ## - Уровень набора
Заглавие Coatings
463 ## - Уровень физической единицы
Заглавие Vol. 13, iss. 2
Обозначение тома [380, 10 p.]
Дата публикации 2023
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин электронный ресурс
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин труды учёных ТПУ
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин diamond
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин thin film
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин chemical vapor deposition
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин microwave plasma
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин thermal conductivity
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин Raman spectroscopy
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин алмаз
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин тонкие пленки
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин химическое осаждение
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин микроволновая плазма
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин теплопроводность
610 1# - Неконтролируемые предметные термины
Предметный термин рамановская спектроскопия
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Sedov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V.
Расширение инициалов личного имени Vadim
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Popovich
Часть имени, кроме начального элемента ввода A.
Расширение инициалов личного имени Alexey
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Linnik
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. A.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Engineer-Researcher of Tomsk Polytechnic University
Даты 1985-
Расширение инициалов личного имени Stepan Andreevich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32877
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Martyanov
Часть имени, кроме начального элемента ввода A.
Расширение инициалов личного имени Artem
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Wei
Часть имени, кроме начального элемента ввода J.
Расширение инициалов личного имени Junjun
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zenkin
Часть имени, кроме начального элемента ввода S. P.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Researcher of Tomsk Polytechnic University
Даты 1988-
Расширение инициалов личного имени Sergey Petrovich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\41880
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Zavedeev
Часть имени, кроме начального элемента ввода E.
Расширение инициалов личного имени Evgeny
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Savin
Часть имени, кроме начального элемента ввода S.
Расширение инициалов личного имени Sergey
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Gaydaychuk
Часть имени, кроме начального элемента ввода A. V.
Дополнения к именам, кроме дат physicist
-- Postgraduate, Engineer - Researcher of Tomsk Polytechnic University
Даты 1984-
Расширение инициалов личного имени Alexander Valerievich
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\pers\32876
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Li
Часть имени, кроме начального элемента ввода Ch.
Расширение инициалов личного имени Chengming
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Ralchenko
Часть имени, кроме начального элемента ввода V.
Расширение инициалов личного имени Victor
701 #1 - Имя лица – альтернативная ответственность
Начальный элемент ввода Konov
Часть имени, кроме начального элемента ввода V.
Расширение инициалов личного имени Vitaly
712 02 - Наименование организации – вторичная ответственность
Начальный элемент ввода Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Структурное подразделение Исследовательская школа физики высокоэнергетических процессов
Идентифицирующий признак (2017- )
-- 8118
-- stltpush
Идентификатор авторитетной/ нормативной записи (RuTPU)RU\TPU\col\23551
801 #2 - Источник записи
Страна RU
Организация 63413507
Дата составления 20230329
Правила каталогизации RCR
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса http://earchive.tpu.ru/handle/11683/74890
856 4# - Местонахождение электронных ресурсов и доступ к ним
Универсальный идентификатор ресурса https://doi.org/10.3390/coatings13020380
090 ## - System Control Numbers (Koha)
Koha biblioitem number (autogenerated) 669256
942 ## - Добавленные элементы ввода (Коха)
Тип документа Computer Files

Нет доступных единиц.