Найдено 19 результатов.

Сортировать
Снять подсветку Подсветить
Выбрать всё Очистить всё
Выбрать заглавия:
Новая подборка
Результаты
1.
Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами / К. Н. ОрловаУровень набора: Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке, сборник материалов XVI Международного молодежного форума, г. Харьков, 17-19 апреля 2012 г. / Украина, Министерство образования и науки ; Харьковский национальный университет радиоэлектроники (ХНУРЭ) = 2012Доступность: Нет доступных экземпляров :

Добавить в подборку Добавить в корзину
2.
Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP, I, Облучение гамма-квантами 60Со / А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. АсановДоступность: Нет доступных экземпляров :

Добавить в подборку Добавить в корзину
3.
4.
5.
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP = Methods of increasing the output power leds based on heterostructures AlGaInP / К. Н. ОрловаУровень набора: Приволжский научный вестник, научно-практический журнал = 2011-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
6.
Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами / А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. АсановУровень набора: Журнал радиоэлектроники, электронный журнал / Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ) = 1998-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
7.
Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами = Parameter degradation of heterostructures AlGaInP at radiation by fast neutrons and gamma quantums / А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. АсановУровень набора: Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, научно-технический сборник / Научно-исследовательский институт приборов = 1973-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
8.
Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами / А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. АсановУровень набора: Журнал радиоэлектроники, электронный журнал / Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ) = 1998-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
9.
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры / А. В. Градобоев [и др.]Уровень набора: Известия вузов. Физика, научный журнал / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) = 1957-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
10.
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами / К. Н. Орлова, А. В. ГрадобоевУровень набора: Известия вузов. Физика, научный журнал / Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) = 1957-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
11.
12.
13.
Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons / A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, I. A. AsanovУровень набора: Journal of Chemistry and Chemical Engineering, Scientific Journal = 2011-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
14.
Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells / A. V. Gradoboev, K. N. OrlovaУровень набора: (RuTPU)RU\TPU\network\4598, Advanced Materials Research, Scientific JournalДоступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
15.
Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons = Изменение мощности излучения гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами / K. N. Orlova, A. V. GradoboevДоступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
16.
Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure / A. V. Gradoboev, K. N. OrlovaУровень набора: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, JournalДоступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
17.
Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов / К. Н. Орлова, А. В. Градобоев, А. В. СимоноваУровень набора: Журнал радиоэлектроники, электронный журнал / Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ) = 1998-Доступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
18.
Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells / A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. V. SimonovaУровень набора: (RuTPU)RU\TPU\network\24092, Materials Science Forum, Scientific JournalДоступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину
19.
Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures / A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. V. SimonovaУровень набора: (RuTPU)RU\TPU\network\24092, Materials Science Forum, Scientific JournalДоступность: :

Добавить в подборку Добавить в корзину